Твердотельные накопители Samsung Electronics MZ-V9S1T0BW
0
Арт. MZ-V9S1T0BW
23 273 руб.
Характеристики
Форм-фактор
:
M.2 2280
Тип памяти
:
V-NAND
Назначение
:
Клиентские ПК
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c
:
7150
АКТУАЛЬНОСТЬ ЦЕН И НАЛИЧИЕ ТОВАРА УТОЧНЯЙТЕ ПЕРЕД ПОКУПКОЙ!
Форм-фактор
M.2 2280
Тип памяти
V-NAND
Назначение
Клиентские ПК
Скорость последовательного чтения, Мбайт/c
7150
Скорость последовательной записи, Мбайт/c
6300
Средняя наработка на отказ, ч
1500000
TBW твердотельного накопителя, Тбайт
600
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Ёмкость накопителя | 1000 Гбайт |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Тип памяти | V-NAND |
| DRAM буфер | 1 |
| Скорость последовательного чтения | 7150 Мбайт/c |
| Скорость последовательной записи | 6300 Мбайт/c |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 ч |
| TBW твердотельного накопителя | 600 Тбайт |
Гарантия дистрибьютора 12 мес. с даты отгрузки
Загрузка отзывов...
Закупка для организации?
Коммерческое предложение по вашей спецификации за 1 рабочий день. 44-ФЗ и 223-ФЗ, безналичный расчёт, закрывающие документы.
Запросить предложение →
Актуальность цен и наличие уточняйте перед покупкой.