Оперативная память Kingston KVR800D2S6/1G
0
Арт. KVR800D2S6/1G
Характеристики
Форм-фактор
:
SODIMM 200-контактный
Тип памяти
:
DDR2
Тактовая частота, МГц
:
800
CAS Latency (CL)
:
6
Описание
DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200 pin, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 6
Все описание
АКТУАЛЬНОСТЬ ЦЕН И НАЛИЧИЕ ТОВАРА УТОЧНЯЙТЕ ПЕРЕД ПОКУПКОЙ!
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный
Тип памяти
DDR2
Тактовая частота, МГц
800
CAS Latency (CL)
6
Пропускная способность
6400 Мб/с
Поддержка ECC
нет
Напряжение питания памяти, В
1.8
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Конфигурация модулей памяти
1 модуль 1 Гб
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
| DDR2 800 (PC2 6400) SODIMM 200 pin, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 6 | |
| Характеристика | Значение |
| Общие характеристики | |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Объем | 1 модуль 1 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Пропускная способность | 6400 Мб/с |
| Тактовая частота | 800 МГц |
| Тип памяти | DDR2 |
| Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 6 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания | 1.8 В |
Загрузка отзывов...
Закупка для организации?
Коммерческое предложение по вашей спецификации за 1 рабочий день. 44-ФЗ и 223-ФЗ, безналичный расчёт, закрывающие документы.
Запросить предложение →
Актуальность цен и наличие уточняйте перед покупкой.